一、反滲透膜元件的污染物：

在正常運(yùn)行一段時(shí)間后，反滲透膜元件會受到在給水中可能存在的懸浮物質(zhì)或難溶物質(zhì)的污染，這些污染物中最常見的為碳酸鈣垢、硫酸(化學(xué)式：H2SO4)鈣垢、金屬氧(Oxygen)化（oxidation)物垢、硅沉積物及有機(jī)或生物沉積物。

污染物的性質(zhì)及污染速度與給水條件有關(guān)，污染是慢慢發(fā)展的，如果不早期采取措施（指針對問題的解決辦法)，污染將會在相對短的時(shí)間內(nèi)損壞膜元件的性能。

定期檢測系統(tǒng)整體性能是確認(rèn)膜元件發(fā)生污染的一個(gè)好方法，不同的污染物會對膜元件性能造成不同程度的損害。

二、反滲透膜元件的污染物的去除

污染物的去除可通過化學(xué)清洗和物理沖洗來實(shí)現(xiàn)，有時(shí)亦可通過改變運(yùn)行條件來實(shí)現(xiàn)，作為一般的原則，當(dāng)下列情形之一發(fā)生時(shí)應(yīng)進(jìn)行清洗。

1、在正常壓力下如產(chǎn)品水流量降至正常值的10～15%。

2、為了維持正常的產(chǎn)品水流量，經(jīng)溫度校正后的給水壓力增加了10～15%。

3、產(chǎn)品水質(zhì)降低10～15%。鹽透過率增加10～15%。

4、使用壓力增加10～15%

5、RO各段間的壓差增加明顯（也許沒有儀表來監(jiān)測這一跡象）。

三、反滲透膜元件的常見污染物及其去除方法：

1、碳酸鈣垢

在阻垢劑添加系統(tǒng)出現(xiàn)故障時(shí)或加酸系統(tǒng)出現(xiàn)而導(dǎo)致給水PH升高，那么碳酸鈣就有可能沉積，出來，應(yīng)盡早發(fā)現(xiàn)碳酸鈣垢沉淀的發(fā)生，以防止生長的晶體對膜表面產(chǎn)生損傷，如早期發(fā)現(xiàn)碳酸鈣垢，可以用降低（reduce)給水PH至3.0～5.0之間運(yùn)行1～2小時(shí)的方法去除。對沉淀時(shí)間更長的碳酸鈣垢，則應(yīng)采用檸檬酸清洗液進(jìn)行循環(huán)清洗或通宵浸泡。

注：應(yīng)確保任何清洗液的PH不要低于2.0，盃則可能會RO膜元件造成損害，特別是在溫度較高時(shí)更應(yīng)注意，的PH不應(yīng)高于11.0。

查使用氨水來提高PH，使用硫酸或鹽酸(HCl)來降低（reduce)PH值。

2、硫酸鈣垢

清洗液是將硫酸鈣（Ca)垢從反滲透膜(原理:反滲透技術(shù)原理)表面去除掉的方法。

3、金屬氧化（oxidation)物垢

可以使用上面所述的去除碳(C)酸鈣（Ca)垢的方法，很容易地去除沉積下來的氫氧(Oxygen)化物（例如氫氧化鐵(Fe?O?)）。

4、硅垢

對于不是與金屬化物或有機(jī)物共生的硅(silicon)垢，一般只有通過專業(yè)水處理的清洗方法才能將他們?nèi)コ嘘P(guān)的詳細(xì)方法請與水處理專業(yè)公司聯(lián)系。

5、有機(jī)沉積物

有機(jī)沉積（sedimentation)物（例如微生物粘泥或霉斑）可以使用清洗液3去除，為了防止再繁殖，可使用經(jīng)認(rèn)可的殺菌（fungus)溶液在系統(tǒng)中循環(huán)、浸泡，一般需較長時(shí)間浸泡才能有效，如反滲透（Osmosis)裝置停用三天時(shí)，采用消毒處理，請與水處理專業(yè)公司會商以確定適宜的殺菌劑。

6、清洗液

清洗反滲透（Osmosis)膜元件時(shí)建議采用水處理專用的清洗液。確定清洗前對污染物進(jìn)行化學(xué)分(credit)析十分重要的，對分析結(jié)果的詳細(xì)分析比較，可保證選擇的清洗劑及清洗方法，應(yīng)記錄每次清洗時(shí)清洗方法及獲得的清洗效果，為在特定給水條件下，找出的清洗方法提供依據(jù)。